Uniformity of AlGaN/GaN HEMTs Grown by Ammonia-MBE on 2-inch Sapphire Substrate

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1149/1.1940808
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Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
Numéro NPARC12744369
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Identificateur de l’enregistrement48c15dac-b6dc-4528-9953-f661aa4e7a05
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-04-07
Date de modification :