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DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1002/pssc.201000914 |
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Auteur | Rechercher : Chyurlia, P.1; Rechercher : Tang, H.1; Rechercher : Semond, F.; Rechercher : Lester, T.1; Rechercher : Bardwell, J. A.1; Rechercher : Rolfe, S.1; Rechercher : Tarr, N. G. |
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Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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Format | Texte, Article |
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Sujet | gallium nitride; MOS; MBE; epitaxy; integration; HFET; HEMT |
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Résumé | A process for monolithically integrating MOS and Al- GaN/GaN HFETs has been developed using a windowed epitaxy technique. AlGaN/GaN HFET devices display a forward current greater than 0.8 A/mm and a breakdown voltage larger than 200 V. Field-plated devices have also been demonstrated. Enclosed MOS devices based on a 900◦C thermal oxide have been produced showing promising characteristics. |
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Date de publication | 2011-06-09 |
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Maison d’édition | Wiley |
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Dans | |
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Langue | anglais |
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Publications évaluées par des pairs | Oui |
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Numéro NPARC | 19542537 |
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Identificateur de l’enregistrement | 3d14a365-b150-4c3e-a1bf-e7cfa0d5a961 |
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Enregistrement créé | 2012-02-29 |
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Enregistrement modifié | 2020-04-21 |
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