| Téléchargement | - Voir le manuscrit accepté : Monolithic integration of AlGaN/GaN HFET with MOS on silicon<111>substrates (PDF, 544 Kio)
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| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1049/el.2010.3167 |
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| Auteur | Rechercher : Chyurlia, P. N.1; Rechercher : Semond, F.; Rechercher : Lester, T.1; Rechercher : Bardwell, J. A.1; Rechercher : Rolfe, S.1; Rechercher : Tang, H.1; Rechercher : Tarr, N. G. |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Résumé | AlGaN/GaN HFETs and silicon MOSFETs have been integrated monolithically on a silicon <111> substrate. A differential heteroepitaxy technique was used to grow AlGaN/GaN HFET layers on silicon <111> substrates while leaving protected areas of atomically smooth silicon in which MOSFETs are built. |
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| Date de publication | 2010-02-04 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 17379823 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 37196b3c-a04d-42fb-b33f-d789a510f798 |
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| Enregistrement créé | 2011-03-23 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-17 |
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