Characterization and modeling of AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors for low noise amplifiers
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DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1116/1.2186659 |
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Format | Texte, Article |
Date de publication | 2006 |
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Numéro NPARC | 12744225 |
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Identificateur de l’enregistrement | 982d737c-cebd-4cf6-a74c-481389832ce4 |
Enregistrement créé | 2009-10-27 |
Enregistrement modifié | 2020-04-22 |
- Date de modification :