Carrier recombination dynamics in Ga₀.₅₁In₀.₄₉P double-heterostructures up to 500 K

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1088/1361-6641/ab708e
AuteurRechercher : 1Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0002-1791-2140; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches Canada. Électronique et photonique avancées
FormatTexte, Article
SujetIII–V semiconductors; double-heterostructures; photoluminescence; minority carrier recombination lifetime; interface recombination velocity
Résumé
Date de publication
Maison d’éditionIOP Publishing
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
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Identificateur de l’enregistrement0400a210-1b24-4c22-834e-84d06fb02992
Enregistrement créé2020-07-21
Enregistrement modifié2021-09-17

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