Intense photoluminescence between 1.3 and 1.8 µm from strained Si[1-x]Ge[x] alloys
Intense photoluminescence between 1.3 and 1.8 µm from strained Si[1-x]Ge[x] alloys
| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.103558 |
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| Format | Texte, Article |
| Date de publication | 1990-09-03 |
| Dans | |
| Langue | anglais |
| Numéro du CNRC | NRC-INMS-1129 |
| Numéro NPARC | 8896417 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 04f391c8-dceb-48c8-af8b-d10cb9f2b238 |
| Enregistrement créé | 2009-04-22 |
| Enregistrement modifié | 2020-03-17 |
- Date de modification :