Density multiplication of nanostructures fabricated by ultralow voltage electron beam lithography using PMMA as positive- and negative-tone resist

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1116/1.3657512
AuteurRechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut national de nanotechnologie
FormatTexte, Article
SujetA-density; dot diameter; electron dose; electron-beam exposure; fabricated structures; feature sizes; low voltages; nano-scale patterns; negative tones; single pixel; ultralow voltage; electron beam lithography; electron beams; fabrication; nanostructures; scanning electron microscopy; electrons
Résumé
Date de publication
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC21271935
Exporter la noticeExporter en format RIS
Signaler une correctionSignaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet)
Identificateur de l’enregistrement088347db-7cec-479d-89a3-968f693a5e3b
Enregistrement créé2014-05-07
Enregistrement modifié2020-04-21
Date de modification :