| Résumé | Nous avons étudié le balayage des porteurs dans une série de structures laser à puits quantiques multiples de InGaAsP contraint, en utilisant la photoconductivité à résolution temporelle et la photoluminescence en onde continue. Les temps d'échappement sont très différents pour les électrons et les trous : moins de 0,5 ns pour les électrons et plus de 10 ns pour les trous. Sans champ additionnel à travers les puits, l'échappement des électrons est activé thermiquement dans les deux échantillons en tension, alors qu'il n'est pas possible de voir clairement lequel, de l'effet tunnel ou de l'émission thermionique, est le mécanisme dominant de l'échappement dans les échantillons en compression ou sans contrainte. L'application d'une polarisation inverse de 2 V est suffisante pour produire un échappement efficace des électrons par effet tunnel dans les échantillons en tension. Un modèle simple de la compétition entre l'émission thermionique et la recombinaison radiative dans les puits en tension donne pour la hauteur de barrière des valeurs qui sont en accord avec les valeurs calculées. |
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