Strain-induced lateral self-organization in Si/SiO2 nanostructures

DOI	Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.3290250
Auteur	Rechercher : Tsybeskov, L.; Rechercher : Kamenev, B. V.; Rechercher : Sirenko, A. A.; Rechercher : McCaffrey, J. P.¹; Rechercher : Lockwood, D. J.¹
Affiliation	Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
Format	Texte, Article
Résumé	Nous montrons que la contrainte, issue du désaccord entre les coefficients de dilatation thermique de Si et de SiO2, conduit à la cristallisation thermique d’une phase amorphe de Si à l’interface Si/SiO2, et qu’elle produit en continu une multicouche de Si entièrement cristallisée d’un nanomètre d’épaisseur avec un rapport d’aspect latéral à vertical avoisinant 100 : 1. Ces nanocouches de Si présentent un faible taux de défauts de structure, mais une tension élastique par rapport au substrat cristallin de Si.
Date de publication	2010-01-12
Dans	Applied Physics Letters 96, nº 1 (12 janvier 2010) : 013105-1–013105-3.
Langue	anglais
Publications évaluées par des pairs	Oui
Numéro NPARC	16378396
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Identificateur de l’enregistrement	09e70b01-39f1-4b5f-9e4a-608b40d3ad59
Enregistrement créé	2010-11-15
Enregistrement modifié	2020-04-17