| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.117963 |
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| Auteur | Rechercher : Sengupta, D. K.; Rechercher : Jackson, S. L.; Rechercher : Ahmari, D.; Rechercher : Kuo, H. C.; Rechercher : Malin, J. I.; Rechercher : Thomas, S.; Rechercher : Feng, M.; Rechercher : Stillman, G. E.; Rechercher : Chang, Y. C.; Rechercher : Li, L.1; Rechercher : Liu, H. C.1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Sujet | Photodetectors; Gallium Arsenides; Indium Arsenides; Indium Phosphides; Quantum Wells; Infrared Radiation; Molecular Beam Epitaxy; Photoconductivity; Photodetectors (including infrared and CCD detectors); Imaging detectors and sensors; III-V semiconductors |
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| Résumé | Lattice-matched InGaAs/InP quantum well intersubband photodetectors (QWIPs) have been grown on an InP substrate by gas source molecular beam epitaxy. Detection at 4.55 μm was observed for a narrow well p-type InGaAs QWIP which, when complimented by a high responsivity 8.93 μm n-type InGaAs/InP QWIP, demonstrates the possibility of dual band, monolithically integrated QWIPs on the same InP substrate. Theoretical calculations of the photocurrent spectra are in excellent agreement with the experimental data. |
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| Date de publication | 1996-11-18 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 12337971 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 0c00e236-045a-4efd-9f92-f743959cdff9 |
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| Enregistrement créé | 2009-09-10 |
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| Enregistrement modifié | 2020-03-20 |
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