Low-temperature molecular beam epitaxial growth of GaAs and (Ga,Mn)As

DOI	Trouver le DOI : https://doi.org/10.1016/S0022-0248(98)01447-X
Auteur	Rechercher : Shen, A.; Rechercher : Matsukura, F.; Rechercher : Guo, S. P.; Rechercher : Sugawara, Y.; Rechercher : Ohno, H.; Rechercher : Tani, M.; Rechercher : Abe, H.; Rechercher : Liu, H. C.¹
Affiliation	Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
Format	Texte, Article
Sujet	molecular beam epitaxy; low-temperature growth; III–V semiconductor; diluted magnetic semiconductor; Transient reflectivity; (Ga,Mn)As
Résumé	GaAs and (Ga,Mn)As were grown by low-temperature (LT) MBE. In this paper we report the growth condition dependence of properties of LT GaAs and (Ga,Mn)As. Transient reflectivity measurements showed that the carrier lifetime in LT GaAs can be modified by changing the V/III ratio. The Curie temperature of (Ga,Mn)As, determined by magneto-transport measurements, was also shown to be a function of V/III ratio.
Date de publication	1999-05
Dans	Journal of Crystal Growth 201-202 (mai 1999) : 679–683.
Langue	anglais
Numéro NPARC	12338201
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Identificateur de l’enregistrement	0c476993-fdc8-4a9a-a484-80d2ccbe3dc9
Enregistrement créé	2009-09-10
Enregistrement modifié	2020-03-20