| Téléchargement | - Voir l’erratum : Inscription of lateral superlattices in semiconductors using structured light (PDF, 683 Kio)
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| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/5.0102432 |
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| Auteur | Rechercher : Hnatovsky, C.1; Rechercher : Zudov, M. A.; Rechercher : Austing, D. G.; Rechercher : Bogan, A.1; Rechercher : Mihailov, S. J.1Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0002-6144-0937; Rechercher : Hilke, M.Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0002-2604-9377; Rechercher : West, K. W.; Rechercher : Pfeiffer, L. N.; Rechercher : Studenikin, S. A.1Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0002-7712-7187 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Technologies de sécurité et de rupture
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| Bailleur de fonds | Rechercher : Gordon and Betty Moore Foundation; Rechercher : National Science Foundation MRSEC; Rechercher : M. A. Z. acknowledges support by the NSF |
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| Format | Texte, Article |
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| Description physique | 8 p. |
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| Résumé | We propose a non-destructive, all-optical technique to imprint embedded lateral superlattices near semiconductor heterostructures by illuminating the samples with a stable interference pattern generated by a phase diffraction grating. We demonstrate the technique on an ultrahigh mobility GaAs/AlGaAs sample with a Si δ-doping by inducing a persistent charge redistribution at cryogenic temperatures in the doping layer containing DX-centers. Weiss commensurability oscillations in the magnetoresistance of the light-induced superlattice are observed and analyzed to obtain its characteristics. |
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| Date de publication | 2022-07-28 |
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| Maison d’édition | AIP Publishing |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Identificateur de l’enregistrement | 10e5e072-2565-48f4-909b-04130f345b52 |
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| Enregistrement créé | 2022-10-07 |
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| Enregistrement modifié | 2024-02-20 |
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