| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1109/IPC47351.2020.9252272 |
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| Auteur | Rechercher : Pitts, Oliver J.1; Rechercher : Walker, Alexandre W.1; Rechercher : Flueraru, Costel1; Rechercher : Storey, Craig1; Rechercher : SpringThorpe, Anthony J.1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Électronique et photonique avancées
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| Format | Texte, Article |
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| Conférence | 2020 IEEE Photonics Conference (IPC), September 28 - October 1, 2020, Vancouver, BC, Canada |
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| Description physique | 2 p. |
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| Sujet | avalanche photodiodes (APDs); detectors; optical communications |
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| Résumé | We report suppression of sidewall leakage current by up to two orders of magnitude in InGaAs / InP mesa-type avalanche photodiodes with a p-type sidewall formed by Zn diffusion, compared to reference devices without a p-type sidewall on the same wafer. |
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| Date de publication | 2020-09 |
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| Maison d’édition | IEEE |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Exporter la notice | Exporter en format RIS |
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| Identificateur de l’enregistrement | 1b5ccf6a-bac3-4556-8f8a-684b2e88ff58 |
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| Enregistrement créé | 2022-05-10 |
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| Enregistrement modifié | 2022-05-10 |
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