| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.045312 |
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| Auteur | Rechercher : Russ, A.H.; Rechercher : Schweidenback, L.; Rechercher : Yasar, M.; Rechercher : Li, C.H.; Rechercher : Hanbicki, A.T.; Rechercher : Korkusinski, M.1; Rechercher : Kioseoglou, G.; Rechercher : Jonker, B.T.; Rechercher : Petrou, A. |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Résumé | An efficient electron spin-relaxation mechanism has been observed in InAs quantum dots (QDs) that manifests itself as a sharp drop in the circular polarization of the light emitted by Fe spin-light emitting diodes, which incorporate a single layer of InGaAs QDs, for a narrow range of magnetic fields around 5 T. The underlying mechanism occurs when the QDs are occupied by three-electron-hole pairs forming a tri-exciton (3X) and is a two-step process. The first step involves the spin flip of one of the three electrons mediated by the spin-orbit interaction; in the second step the 3X relaxes to its ground state via phonon emission. © 2011 American Physical Society. |
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| Date de publication | 2011 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 21271592 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 1d5a1554-ab4f-4bc2-ac13-3201dd867ed4 |
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| Enregistrement créé | 2014-03-24 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-21 |
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