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A comparison of the dc and rf characteristics of single and double InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1139/p96-866
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
  • Canadian Journal of Physics 74, nº 12 (1996) : 239–242.
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12339038
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Identificateur de l’enregistrement220545bc-583e-4ca4-97e5-3d5202b09741
Enregistrement créé2009-09-11
Enregistrement modifié2020-03-20
Date de modification :