A Program-Erasable High-k Hf0.3N0.2O 0.5 MIS Capacitor with Good Retention

DOI	Trouver le DOI : https://doi.org/10.1109/LED.2007.905375
Auteur	Rechercher : Yang, H. J.; Rechercher : Chin, A.; Rechercher : Chen, W. J.; Rechercher : Cheng, C. F.; Rechercher : Huang, V.; Rechercher : Hsieh, I. J.; Rechercher : McAlister, Sean¹
Affiliation	Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
Format	Texte, Article
Date de publication	2007
Dans	IEEE Electron Device Letters 28, nº 10 (2007) : 913–915.
Numéro NPARC	12744720
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Identificateur de l’enregistrement	24ecf5fb-2035-4146-b2e3-9bb4e12ccc90
Enregistrement créé	2009-10-27
Enregistrement modifié	2020-05-10

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