Photoluminescence in tensile-strained Si type-II quantum wells on bulk single-crystal SiGe substrates
Photoluminescence in tensile-strained Si type-II quantum wells on bulk single-crystal SiGe substrates
DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.1597413 |
---|---|
Auteur | Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1 |
Affiliation |
|
Format | Texte, Article |
Date de publication | 2003 |
Dans | |
Langue | anglais |
Publications évaluées par des pairs | Oui |
Numéro NPARC | 8900109 |
Exporter la notice | Exporter en format RIS |
Signaler une correction | Signaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet) |
Identificateur de l’enregistrement | 2a4d08c1-4e3e-43f6-85b9-86704c5c60a8 |
Enregistrement créé | 2009-04-22 |
Enregistrement modifié | 2023-05-10 |
- Date de modification :