| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1007/s11082-012-9549-0 |
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| Auteur | Rechercher : Lockwood, D. J.1; Rechercher : Tsybeskov, L. |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Sujet | silicon; germanium; dots; photoluminescence; electroluminescence |
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| Résumé | Epitaxially-grown Si/SiGe quantum dot complexes produce efficient photoluminescence and electroluminescence in the desired spectral range of 1.3–1.6µm. The latest progress in our understanding of the physics of carrier recombination in Si/SiGe nanostructures is reviewed, and a new route toward CMOS compatible light emitters is proposed. |
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| Date de publication | 2012-02-05 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Identificateur | 9549 |
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| Numéro NPARC | 21268394 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 2af93d5f-1fd9-4d61-916e-893f1e113396 |
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| Enregistrement créé | 2013-07-09 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-21 |
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