Superlattice and multilayer structures based on ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As

DOI	Trouver le DOI : https://doi.org/10.1016/S0921-4526(98)00319-6
Auteur	Rechercher : Shen, A.; Rechercher : Ohno, H.; Rechercher : Matsukura, F.; Rechercher : Liu, H. C.¹; Rechercher : Akiba, N.; Rechercher : Sugawara, Y.; Rechercher : Kuroiwa, T.; Rechercher : Ohno, Y.
Affiliation	Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
Format	Texte, Article
Sujet	(Ga,Mn)As; ferromagnetic semiconductor; ferromagnetism; resonant tunneling; superlattices
Résumé	Ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As-based superlattice and multilayer structures, (Ga,Mn)As/(Al,Ga)As and (Ga,Mn)As/(In,Ga)As, were prepared by molecular beam epitaxy. X-ray diffraction measurements showed that the thickness and alloy composition in the superlattices were well controlled. Magnetotransport measurements revealed the existence of ferromagnetic order at low temperatures. Resonant tunneling diodes with (Ga,Mn)As showed features that are well explained by a simple physical picture.
Date de publication	1998-06-17
Dans	Physica B : Condensed Matter 249-251 (17 juin 1998) : 809–813.
Langue	anglais
Numéro NPARC	12327975
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Identificateur de l’enregistrement	2b3a2b8f-00da-4525-9dfa-8337b71af5f0
Enregistrement créé	2009-09-10
Enregistrement modifié	2020-03-20