Growth of crack-free, carbon-doped GaN and AlGaN/GaN high electron mobility transistor structures on Si (111) substrates by ammonia molecular beam epitaxy
Growth of crack-free, carbon-doped GaN and AlGaN/GaN high electron mobility transistor structures on Si (111) substrates by ammonia molecular beam epitaxy
| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.2215600 |
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| Affiliation |
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| Format | Texte, Article |
| Date de publication | 2006 |
| Dans | |
| Langue | anglais |
| Publications évaluées par des pairs | Oui |
| Numéro NPARC | 12744848 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 2cfaf97a-0bb1-469e-8112-fc923c96e4b5 |
| Enregistrement créé | 2009-10-27 |
| Enregistrement modifié | 2023-05-10 |
- Date de modification :