DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1016/S0039-6028(03)00083-9 |
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Auteur | Rechercher : Tütüncü, H. M.1; Rechercher : Srivastava, G. P.; Rechercher : Tse, J. S.1 |
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Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
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Format | Texte, Article |
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Sujet | Adsorption kinetics; Arsenic; Density functional calculations; Gallium arsenide; Phonons |
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Résumé | We present structural and dynamical properties of the As covered GaAs(1 1 0) surface based on ab initio density-functional calculations and a linear-response approach. Characteristic phonon modes due to a monolayer deposition of As within the epitaxially continued layer structure have been identified and compared with their counterparts on the clean GaAs(1?1?0) surface. |
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Date de publication | 2003-06-10 |
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Dans | |
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Langue | anglais |
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Numéro NPARC | 12327234 |
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Identificateur de l’enregistrement | 2f216df2-6ee8-42a2-b2b8-ded858f09c96 |
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Enregistrement créé | 2009-09-10 |
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Enregistrement modifié | 2020-04-02 |
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