Transport properties of gated sub-micron mesas incorporating InAs self-assembled dots that conduct near zero bias

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1016/j.physe.2004.08.085
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FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12744187
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Identificateur de l’enregistrement2f6ad93e-a10e-4b30-9b97-68430c8081e9
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2023-06-23
Date de modification :