Photoluminescence of boron-doped Si[1-x]Ge[x] epilayers grown by UHV-CVD
Photoluminescence of boron-doped Si[1-x]Ge[x] epilayers grown by UHV-CVD
DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1016/S0921-5107(01)00820-0 |
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Format | Texte, Article |
Date de publication | 2002-02-14 |
Dans | |
Langue | anglais |
Numéro du CNRC | NRC-INMS-372 |
Numéro NPARC | 5764055 |
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Identificateur de l’enregistrement | 334b6a4f-51d2-46fe-b218-2d5044b019e4 |
Enregistrement créé | 2009-03-29 |
Enregistrement modifié | 2020-03-30 |
- Date de modification :