Photoluminescence of boron-doped Si[1-x]Ge[x] epilayers grown by UHV-CVD
Photoluminescence of boron-doped Si[1-x]Ge[x] epilayers grown by UHV-CVD
| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1016/S0921-5107(01)00820-0 |
|---|---|
| Auteur | Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : |
| Format | Texte, Article |
| Date de publication | 2002-02-14 |
| Dans | |
| Langue | anglais |
| Numéro du CNRC | NRC-INMS-372 |
| Numéro NPARC | 5764055 |
| Exporter la notice | Exporter en format RIS |
| Signaler une correction | Signaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet) |
| Identificateur de l’enregistrement | 334b6a4f-51d2-46fe-b218-2d5044b019e4 |
| Enregistrement créé | 2009-03-29 |
| Enregistrement modifié | 2020-03-30 |
Détails de la page
Par :
- Date de modification :