| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1117/12.883661 |
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| Auteur | Rechercher : Knap, W.; Rechercher : Teppe, F.; Rechercher : Consejo, C.; Rechercher : Chenaud, B.; Rechercher : Torres, J.; Rechercher : Solignac, P.; Rechercher : Wasilewski, Z.R.1; Rechercher : Zholudev, M.; Rechercher : Dyakonova, N.; Rechercher : Coquillat, D.; Rechercher : Buzatu, P.; Rechercher : El Fatimy, A.; Rechercher : Schuster, F.; Rechercher : Videlier, H.; Rechercher : Sakowicz, M.; Rechercher : Giffard, B.; Rechercher : Skotnicki, T.; Rechercher : Palma, F. |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Conférence | Terahertz Physics, Devices, and Systems V: Advance Applications in Industry and Defense, April 25-26, 2011, Orlando, FL, USA |
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| Sujet | Low costs; Silicon Technologies; Terahertz detection; Terahertz detectors; THz quantum cascade lasers; MESFET devices; Quantum cascade lasers; Detectors |
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| Résumé | In this work we review the most important results concerning the physics and applications of FETs as Terahertz detectors [1]. We present two experiments showing: i) Terahertz detection based on low cost 130 nm silicon technology Field Effect Transistors in the sub-THz range (0.2 THz up to 1.1 THz) and ii) first results on detection by FETs of emission from 3.1 THz Quantum Cascade Lasers. © 2010 SPIE. |
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| Date de publication | 2011 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 21271557 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 351515e8-d592-4f5c-8adb-536eec0d99c6 |
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| Enregistrement créé | 2014-03-24 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-21 |
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