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Absolute deformation potentials and robust ab initio model for band shifts induced by (001) biaxial strain in group IIIA-VA semiconductors

Par Conseil national de recherches du Canada

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  1. (PDF, 585 Kio)
DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.3537815
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Résumé
A model for the evolution of conduction and valence bands of IIIA-VA (InAs, GaAs, and InP) semiconductors under (001) biaxial strain is developed. The model is based on the ab initio calculations which take into account finite strain dependent relaxation of the reference levels. The results of ab initio full potential calculations of absolute deformation potentials (ADPs) and (001) biaxial strain-modified band edges are reported. It is shown that in type I heterostructures subjected to (001) compressive biaxial strain, the corrections due to nonzero ADP of the core reference levels reduce the strained band offset for holes.
Date de publication
Dans
  • Applied Physics Letters 98 (13 janvier 2011) : 023108-1–023108-3.
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC17131328
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Identificateur de l’enregistrement36ff6ebe-6cfb-4cad-9bdb-d5ac6308e610
Enregistrement créé2011-03-26
Enregistrement modifié2020-04-21
Date de modification :