Effect of temperature on the threshold current and wavelength of MQW InGaAs/GaAs circular-grating, surface-emitting, distributed Bragg reflector (CG-SE-DBR) diode lasers

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1117/12.206342
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 2; Rechercher : 2; Rechercher : 2; Rechercher : 2; Rechercher : 2
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada
  2. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
ConférencePhotonics West '95, February 6, 1995, San Jose, CA, United States
Résumé
Date de publication
Maison d’éditionSPIE
Dans
Série
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12328604
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Identificateur de l’enregistrement3729738e-2819-49d7-a6da-60c8ef7a6c84
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2020-04-29
Date de modification :