DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1002/1521-3862(200101)7:1<28::AID-CVDE28>3.0.CO;2-6 |
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Auteur | Rechercher : Hsu, P.-F.; Rechercher : Chi, Y.; Rechercher : Lin, T.-W.; Rechercher : Liu, C.-S.; Rechercher : Carty, A. J.1; Rechercher : Peng, S.-M. |
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Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
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Format | Texte, Article |
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Sujet | Aminoalkoxide precursors; Copper; CVD |
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Résumé | High purity copper metal is deposited from highly volatile copper complexes at temperatures near 250 °C. SEM shows a dense microstructure and relatively small grain size (see Figure), with one of the complexes producing copper with a measured electrical resistivity of 3.4 μΩ cm, very close to the physical resistivity value of bulk copper and copper with a purity of over 99 %. |
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Date de publication | 2001 |
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Dans | |
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Langue | anglais |
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Numéro NPARC | 12339077 |
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Identificateur de l’enregistrement | 3f10e1d3-4c32-4915-8a3f-2623a29bc07e |
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Enregistrement créé | 2009-09-11 |
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Enregistrement modifié | 2020-03-27 |
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