Characterization of dot-specific and tunable effective g factors in a GaAs/AlGaAs double quantum dot single-hole device

Par Conseil national de recherches du Canada

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DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1103/PhysRevB.105.195305
AuteurRechercher : 1Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0002-6123-966X; Rechercher : 1Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0002-3594-4402; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : 1Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0002-7712-7187; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Technologies de sécurité et de rupture
Bailleur de fondsRechercher : U.S. Department of Energy
FormatTexte, Article
Résumé
Date de publication
Maison d’éditionAmerican Physical Society
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
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Identificateur de l’enregistrement410910b4-72d0-4acd-96b9-dc9b98612b31
Enregistrement créé2022-06-07
Enregistrement modifié2022-06-14
Date de modification :