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Three-Dimensional Metal Gate-High-k-GOI CMOSFETs on 1-Poly-6-Metal 0.18ƒÝm Si Devices

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1109/LED.2004.841861
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
  • IEEE Electron Device Letters 26, nº 2 (2005) : 118–120.
Numéro NPARC12744878
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Identificateur de l’enregistrement414bab02-5504-43b5-a12f-9cf779350514
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-04-07

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