Minority carrier diffusion lengths and mobilities in low-doped n-InGaAs for focal plane array applications

Par Conseil national de recherches du Canada

Téléchargement
  1. (PDF, 1.0 Mio)
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Technologies de l'information et des communications
FormatTexte, Article
SujetInGaAs; SWIR; minority carrier diffusion length; mobility; lifetime; doping dependence; modeling and simulation; dark current; pixel pitch
Résumé
Date de publication
Maison d’éditionCornell University Library
Dans
Autre format
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC23002212
Exporter la noticeExporter en format RIS
Signaler une correctionSignaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet)
Identificateur de l’enregistrement443a38d9-d650-4b20-82b1-6701d5ba314a
Enregistrement créé2017-09-06
Enregistrement modifié2020-05-30
Date de modification :