Ammonia molecular beam epitaxy growth of p-type GaN and application for bipolar junction transistors

DOI	Trouver le DOI : https://doi.org/10.1116/1.1926307
Auteur	Rechercher : Haffouz, Soufien¹; Rechercher : Tang, Haipeng¹; Rechercher : Bardwell, Jennifer¹; Rechercher : Rolfe, Stephen¹; Rechercher : Hsu, E. M.; Rechercher : Sproule, G¹; Rechercher : Moisa, Simona¹; Rechercher : Beaulieu, M.; Rechercher : Webb, James²
Affiliation	Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
Format	Texte, Article
Date de publication	2005
Dans	Journal of Vacuum Science & Technology B 23, nº 3 (2005) : 1199–1203.
Numéro NPARC	12743977
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Identificateur de l’enregistrement	4796c023-9c1f-4c46-a6da-9a777e058df5
Enregistrement créé	2009-10-27
Enregistrement modifié	2020-04-07