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An electrically pumped surface-emitting semiconductor green laser

Par Conseil national de recherches du Canada

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DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1126/sciadv.aav7523
AuteurRechercher : Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0002-3303-136X; Rechercher : Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0002-0170-0442; Rechercher : ; Rechercher : 1Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0003-3129-6644; Rechercher : ; Rechercher : Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0001-9494-7390
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Électronique et photonique avancées
FormatTexte, Article
Résumé
Surface-emitting semiconductor lasers have been widely used in data communications, sensing, and recently in Face ID and augmented reality glasses. Here, we report the first achievement of an all-epitaxial, distributed Bragg reflector (DBR)–free electrically injected surface-emitting green laser by exploiting the photonic band edge modes formed in dislocation-free gallium nitride nanocrystal arrays, instead of using conventional DBRs. The device operates at ~523 nm and exhibits a threshold current of ~400 A/cm², which is over one order of magnitude lower compared to previously reported blue laser diodes. Our studies open a new paradigm for developing low-threshold surface-emitting laser diodes from the ultraviolet to the deep visible (~200 to 600 nm), wherein the device performance is no longer limited by the lack of high-quality DBRs, large lattice mismatch, and substrate availability.
Date de publication
Maison d’éditionAmerican Association for the Advancement of Science
Licence
Dans
  • Science Advances 6, nº 1, eaav7523 (1 janvier 2020) : 1–8.
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
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Identificateur de l’enregistrement49612c15-feee-4abd-95a4-fa4c729c5b95
Enregistrement créé2020-06-23
Enregistrement modifié2020-06-26
Date de modification :