Advances in III-nitride growth by ammonia-MBE
Advances in III-nitride growth by ammonia-MBE
Auteur | Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1 |
---|---|
Affiliation |
|
Format | Texte, Article |
Conférence | International Workshop on Nitride Semiconductors, September 24-27, 2000, Nagoya, Japan |
Date de publication | 2000 |
Dans | |
Série | |
Langue | anglais |
Numéro NPARC | 12328680 |
Exporter la notice | Exporter en format RIS |
Signaler une correction | Signaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet) |
Identificateur de l’enregistrement | 4b636055-4788-4da6-be4d-f5aacf8377f5 |
Enregistrement créé | 2009-09-10 |
Enregistrement modifié | 2020-03-26 |
- Date de modification :