High power blue–violet InGaN laser diodes grown on bulk GaN substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1088/0268-1242/20/8/030
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Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
Numéro NPARC12744617
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Identificateur de l’enregistrement4d22b078-37e6-45eb-9641-d621001ebcae
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-04-07
Date de modification :