Growth of high mobility GaN and AlGaN/GaN HFET structures on 4H-SiC by ammonia-molecular-beam epitaxy

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.1379785
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 2; Rechercher : 2; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
  2. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12328724
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Identificateur de l’enregistrement51d0bea3-80ff-4cd0-892d-66786be4b20d
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2023-05-10
Date de modification :