| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.3681329 |
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| Auteur | Rechercher : Molas, M.; Rechercher : Gołasa, K.; Rechercher : Kuldová, K.; Rechercher : Borysiuk, J.; Rechercher : Babiński, A.; Rechercher : Lapointe, J.1; Rechercher : Wasilewski, Z. R.1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Résumé | The effect of the In-flush technique on the optical anisotropy of InAs/GaAs quantum dots(QDs) has been investigated. The anisotropy was deduced from low temperature microluminescence measurements of the splitting of the emission lines related to single neutral excitons confined to the QDs. It was found that the anisotropy was significantly smaller in a structure grown by the In-flush technique as compared to a structure grown without this procedure. It is proposed that this anisotropy reduction is due to the reduction in the strain generated within the GaAs barrier when using the In-flush procedure. |
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| Date de publication | 2012 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 21269030 |
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| Exporter la notice | Exporter en format RIS |
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| Identificateur de l’enregistrement | 52a4c7a9-3513-462e-a2a6-8a0dd7f5af87 |
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| Enregistrement créé | 2013-12-02 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-21 |
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