Broad band vs phonon resolved luminescence in Si[1-x]Ge[x]/Si heterostructures grown by molecular beam epitaxy
Broad band vs phonon resolved luminescence in Si[1-x]Ge[x]/Si heterostructures grown by molecular beam epitaxy
Auteur | Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : |
---|---|
Commanditaire | Rechercher : MRS |
Format | Texte, Article |
Conférence | Semiconductor heterostructures for photonic and electronic applications : symposium, November 30-December 4, 1992, Boston, Massachusetts, USA |
ISSN | 0272-9172 |
ISBN | 155899176X |
Langue | anglais |
Numéro du CNRC | NRC-INMS-4396 |
Numéro NPARC | 8900171 |
Exporter la notice | Exporter en format RIS |
Signaler une correction | Signaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet) |
Identificateur de l’enregistrement | 532559c9-6eb6-4c8a-8446-94ab171b1255 |
Enregistrement créé | 2009-04-22 |
Enregistrement modifié | 2020-04-16 |
- Date de modification :