DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.1476401 |
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Auteur | Rechercher : Tütüncü, H. M.1; Rechercher : Miotto, R.; Rechercher : Srivastava, G. P.; Rechercher : Tse, J.1 |
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Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
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Format | Texte, Article |
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Sujet | gallium compounds; III-V semiconductors; lattice constants; pseudopotential methods; surface phonons; wide band gap semiconductors |
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Résumé | We present results of adiabatic bond-charge model calculations for the vibrational properties of the GaN(110) surface using electronic and structural data obtained from a first-principles pseudopotential method. It is found that in order to relate the energy locations of optical phonon modes on this surface with corresponding modes on nonnitride III�V(110) and II�VI(110) surfaces, it is necessary to consider scaling of results with the lattice constant in addition to the reduced mass. |
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Date de publication | 2002-05-06 |
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Dans | |
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Langue | anglais |
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Publications évaluées par des pairs | Oui |
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Numéro NPARC | 12338426 |
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Identificateur de l’enregistrement | 558d8a7c-fe06-407c-9649-4803746e9a2e |
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Enregistrement créé | 2009-09-10 |
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Enregistrement modifié | 2023-05-10 |
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