Electron transport in gated InGaAs and InAsP quantum well wires in selectively grown InP ridge structures

Par Conseil national de recherches du Canada

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DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1016/j.physe.2009.11.062
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
SujetInP; InAsP; InGaAs; Chemical beam epitaxy; Nanowire; Quantum wire; Ridge structure; Electron transport; Quantum dot; Selective growth
Résumé
Date de publication
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC17401045
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Identificateur de l’enregistrement5b4fc9c7-7173-4b2f-9f10-0a2470620dbb
Enregistrement créé2011-03-26
Enregistrement modifié2020-04-17
Date de modification :