Indications of field-directing and self-templating effects on the formation of organic lines on silicon

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.3562367
AuteurRechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut national de nanotechnologie
FormatTexte, Article
Sujetgrowth process; metal contacts; molecular patterns; organic nanostructures; Si(1 0 0); silicon surfaces; templating effects; dangling bonds; electric fields; nanostructures; scanning tunneling microscopy; dimers
Résumé
Date de publication
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC21271969
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Identificateur de l’enregistrement62d7afa2-bfd4-4a30-a332-b5ee14d674e0
Enregistrement créé2014-05-14
Enregistrement modifié2020-04-21
Date de modification :