| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1016/0921-4526(96)00447-4 |
|---|
| Auteur | Rechercher : Wang, P. D.; Rechercher : Merz, J. L.; Rechercher : Fafard, S.; Rechercher : Leon, R.; Rechercher : Leonard, D.; Rechercher : Medeiros-Ribeiro, G.; Rechercher : Oestreich, M.; Rechercher : Petroff, P. M.; Rechercher : Ledentsov, N. N.; Rechercher : Kop'ev, P. S.; Rechercher : Ustinov, V. M.; Rechercher : Uchida, K.; Rechercher : Miura, N.; Rechercher : Ariyama, H.; Rechercher : Sakaki, H.; Rechercher : Sotomayor Torres, C. M. |
|---|
| Format | Texte, Article |
|---|
| Sujet | Self-assembled quantum dots; InAs---GaAs; InAlAs---AlGaAs |
|---|
| Résumé | We present magneto-optical studies of both InAs monolayers and InAlAs self-assembled quantum dots grown by molecular beam epitaxy. In both structures, strong exciton binding energy was measured. In the case of InAs monolayers in (3 1 1) GaAs matrices, the strong exciton binding energy (12 ± 1 MeV) is caused by the lateral quantum confinement. In the case of InAlAs self-assembled quantum dots, 3D complete quantum confinement is achieved. The excitonic properties of self-assembled quantum dots are discussed. |
|---|
| Date de publication | 1996-09 |
|---|
| Dans | |
|---|
| Langue | anglais |
|---|
| Publications évaluées par des pairs | Oui |
|---|
| Numéro NPARC | 12338952 |
|---|
| Exporter la notice | Exporter en format RIS |
|---|
| Signaler une correction | Signaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet) |
|---|
| Identificateur de l’enregistrement | 644af2bb-0816-4bc1-8f0a-2fcdcb94f4a1 |
|---|
| Enregistrement créé | 2009-09-11 |
|---|
| Enregistrement modifié | 2020-03-20 |
|---|
