Well-resolved band-edge photoluminescence from strained Si[1-x]Ge[x] layers grown by rapid thermal chemical vapor deposition

Auteur	Rechercher : Sturm, J. C.; Rechercher : Schwartz, P. V.; Rechercher : Manoharan, H.; Rechercher : Mi, Q.; Rechercher : Lenchyshyn, L. C.; Rechercher : Thewalt, M. L.W.; Rechercher : Rowell, N. L.; Rechercher : Noël, J. P.; Rechercher : Houghton, D. C.
Commanditaire	Rechercher : MRS
Format	Texte, Article
Conférence	Silicon molecular beam epitaxy : symposium, April 29-May 3, 1991, Anaheim, California, USA
ISSN	0272-9172
ISBN	155899114X
Langue	anglais
Numéro du CNRC	NRC-INMS-1199
Numéro NPARC	8900718
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Identificateur de l’enregistrement	69cd13db-046a-4d89-85cc-b8f1fab6cee6
Enregistrement créé	2009-04-22
Enregistrement modifié	2020-04-16