DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.1314887 |
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Auteur | Rechercher : Deen, M. Jamal; Rechercher : Rumyantsev, S. L.; Rechercher : Landheer, D.1; Rechercher : Xu, D.-X.1 |
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Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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Format | Texte, Article |
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Résumé | Low-frequency noise in cadmium-selenide (CdSe) thin-film transistors (TFTs) has been studied over a wide range of gate and drain biases, temperatures, and gate areas. The dependencies of the noise on the gate voltage and the gate length indicate that the 1/f noise originates from the bulk sources homogeneously distributed in the channel. The value of Hooge parameter α lies within the usual range 10−3<α<2×10−2 for Si TFTs and amorphous Si. |
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Date de publication | 2000 |
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Dans | |
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Langue | anglais |
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Numéro NPARC | 12744245 |
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Identificateur de l’enregistrement | 6bbf480b-e0c1-4486-9851-a6830cfa613c |
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Enregistrement créé | 2009-10-27 |
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Enregistrement modifié | 2020-03-26 |
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