DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1117/12.206257 |
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Auteur | Rechercher : Wrobel, Jerzy; Rechercher : Dubowski, Jan1; Rechercher : Becla, Piotr |
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Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut de technologie des procédés chimiques et de l'environnement du CNRC
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Format | Texte, Article |
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Résumé | Multiple quantum wells and superlattices of CdMnTe/CdTe were grown epitaxially on ZnCdTe using Pulsed Laser Evaporation and Epitaxy for Cd.85Mn.15Te doped with indium and high purity CdTe targets. Photoluminescence was measured in the 4-80 K temperature range. The use of different excitation wavelengths (488 nm and 623 nm) led to depth studies of the structures. In order to determine the degree of indium incorporation in the wells, the results from the multiple layer structures were compared with the photoluminescence from single layers deposited under similar conditions. |
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Maison d’édition | SPIE |
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Emplacement | San Jose, CA, USA |
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Numéro NPARC | 12328660 |
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Identificateur de l’enregistrement | 7a432c6b-dd1b-407b-87ea-c28be9472e1b |
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Enregistrement créé | 2009-09-10 |
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Enregistrement modifié | 2020-05-08 |
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