On the carrier concentration and Hall mobility in GaN epitaxial layers

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1143/JJAP.41.L226
AuteurRechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 2; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
  2. Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
Numéro NPARC12328921
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Identificateur de l’enregistrement7cac495d-5352-46a5-b318-5a0089e827ac
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2020-04-06
Date de modification :