| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1049/el:19951045 |
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| Auteur | Rechercher : Fallahi, M.1; Rechercher : Dion, M.1; Rechercher : Wasilewski, Z.1; Rechercher : Buchanan, M.1; Rechercher : Nournia, M.1; Rechercher : Stapledon, J.1; Rechercher : Barber, R.1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Sujet | 17 mA; 170 mW; 980 nm; circular-grating type; distributed Bragg reflector; electron beam lithography; etch-stop layer; high efficiency operation; InGaAs-GaAs; low threshold current; MBE; MQW structure; strained triple quantum well; surface-emitting DBR lasers |
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| Résumé | The authors demonstrate low threshold current high efficiency operation of circular-grating surface-emitting distributed Bragg reflector (CG-SE-DBR) lasers. A strained InGaAsIGaAs triple quantum well with an etch-stop layer was grown by MBE. Circular gratings are defined by electron beam lithography. A threshold current as low as 17 mA and a pulsed output power >170 mW at ~980 nm wavelength are obtained. |
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| Date de publication | 1995-08-31 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Numéro NPARC | 12338028 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 7f7098af-043a-4e59-9a65-900835666c97 |
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| Enregistrement créé | 2009-09-10 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-29 |
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