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One-flux analysis of current blocking in double-heterostructure bipolar transistors with composite collectors

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.361107
AuteurRechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Sujetaccumulation layers; bipolar transistors; current density; graded band gaps; heterostructures; iv characteristic
Résumé
The flux method of McKelvey, Longini, and Brody [Phys. Rev. 123, 51 (1961)] is used to analyze current blocking in double‐heterostructure bipolar transistors with composite collectors (CC). The effects of electron accumulation in the spacer layer are included; these are shown to impose an intrinsic limit on the simplest CC design. The analysis is extended to include compositional or band‐gap grading, which can substantially reduce the current blocking at high currents, though it has less effect at lower currents.
Date de publication
Maison d’éditionAIP
Dans
  • Journal of Applied Physics 79, nº 5 : 2762–2770.
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12329067
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Identificateur de l’enregistrement80a5d929-de59-42f6-8b77-00b9daa4d60f
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2020-03-20
Date de modification :