Zn diffusion depth effect on photoresponse uniformity in InP/InGaAs avalanche photodiodes

Par Conseil national de recherches du Canada

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DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1007/s11082-022-03931-1
AuteurRechercher : 1Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0002-1791-2140; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Électronique et photonique avancées
FormatTexte, Article
Sujetavalanche photodetector; breakdown; InGaAs; InP; mask loading; multiplication width; numerical simulation; Zn diffusion
Résumé
Date de publication
Maison d’éditionSpringer Nature
Licence
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Identificateur3931
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Identificateur de l’enregistrement80aef8dc-6a3b-48e3-8e39-fb5dda205d18
Enregistrement créé2024-04-02
Enregistrement modifié2024-04-02
Date de modification :