Mid-IR light emitting diodes using InAs, InAs[1-y]P[x]Sb[y], and InAs[1-x-y]P[x]Sb[y] epilayers on InAs (100)
Mid-IR light emitting diodes using InAs, InAs[1-y]P[x]Sb[y], and InAs[1-x-y]P[x]Sb[y] epilayers on InAs (100)
| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1117/12.328742 |
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| Format | Texte, Article |
| Conférence | Applications of photonic technology 3 : closing the gap between theory, development, and application : [proceedings of the 3rd International Conference on Applications of Photonic Technology (ICAPT '98)], July 27-30, 1998, Ottawa, Ontario, Canada |
| ISSN | 0277-786X |
| ISBN | 0819429503 |
| Langue | anglais |
| Numéro du CNRC | NRC-INMS-1099 |
| Numéro NPARC | 8898630 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 87a4b283-9542-4397-acb3-35a7a2253a45 |
| Enregistrement créé | 2009-04-22 |
| Enregistrement modifié | 2020-04-16 |
- Date de modification :