| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1109/NUSOD52207.2021.9541432 |
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| Auteur | Rechercher : Walker, A. W.1; Rechercher : Pitts, O. J.1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Électronique et photonique avancées
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| Format | Texte, Article |
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| Conférence | 2021 International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD), September 13-17, 2021, Turin, Italy |
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| Sujet | avalanche photodetector; breakdown; numerical simulation; multiplication width; InP; InGaAs; simulation; avalanche photodiodes; predictive models; numerical simulation; throughput; numerical models; photoconductivity |
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| Résumé | Numerical simulation of the electric field distribution and photocurrent response of a planar InP/InGaAs avalanche photodiode is presented as a function of varying multiplication width. The Zn dopant diffusion front is obtained by numerically simulating the diffusion process. The simulation results indicate that while a local peak value of the electric field is observed near the device edge, it is not associated with a significant increase in the photocurrent response. |
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| Date de publication | 2021-09-13 |
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| Maison d’édition | IEEE |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Exporter la notice | Exporter en format RIS |
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| Identificateur de l’enregistrement | 87fee882-91c6-4a8d-8dfd-89cf50eebd42 |
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| Enregistrement créé | 2023-04-04 |
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| Enregistrement modifié | 2023-04-04 |
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